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NDP6030L中文资料

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NDP6030L参数资料

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  • NDP6030L
  • 功能描述：MOSFET N-Channel FET LL Enhancement ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NDP6030L供应商

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  • 深圳市中平科技有限公司
  • 赖先生
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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
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  • NDP6030L
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • NDP6030L
  • 甄芯网
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  • 深圳市佳鑫特电子有限公司
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  • TO220
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  • 深圳市明锐微科技有限公司
  • 李先生
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  • 0314/0303
  • 1990
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  • 深圳市华诺星科技有限公司
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  • 原厂原包
  • 2014+
  • 26800
  • NDP6030L
  • 深圳市恒胜泰科技有限公司
  • 林先生/林小姐
    0755-82521107
  • FAIRCHILD/NSC
  • TO-220
  • 新年份
  • 15506
  • NDP6030L
  • 深圳市英瑞尔电子科技有限公司
  • 朱先生
    0755-82811605
  • F
  • TO-220
  • 15+
  • 25000