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>> NDS9957(双N沟道增强型场效应晶体管)
NDS9957中文资料
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NDS9957
双N沟道增强型场效应晶体管
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双N沟道增强型场效应晶体管
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双N沟道增强型场效应晶体管
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双N沟道增强型场效应晶体管
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双N沟道增强型场效应晶体管
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双N沟道增强型场效应晶体管
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双N沟道增强型场效应晶体管
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双N沟道增强型场效应晶体管
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双N沟道增强型场效应晶体管
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双N沟道增强型场效应晶体管
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双N沟道增强型场效应晶体管
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双N沟道增强型场效应晶体管
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双N沟道增强型场效应晶体管
FAIRCHILD
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双N沟道增强型场效应晶体管
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NDS9957参数资料
电子元器件
参数资料
NDS9957
功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 ;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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FA▲▲▲IOR▲现货特价■▲现货特价■
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柯先生/赵小姐
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甄芯网
柯先生/赵小姐
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