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NE722S01参数资料
电子元器件
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NE722S01
功能描述:射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET;RoHS:否;制造商:TriQuint Semiconductor;技术类型:pHEMT;频率:500 MHz to 3 GHz;增益:10 dB;噪声系数:;正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S;漏源电压 VDS:;闸/源击穿电压:- 8 V;漏极连续电流:3 A;最大工作温度:+ 150 C;功率耗散:10 W;安装风格:;封装 / 箱体:;
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