NE856M03-A

NE856M03-A中文资料

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NE856M03-A参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• NE856M03-A
• 功能描述：射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain；RoHS：否；制造商：NXP Semiconductors；配置：Single；晶体管极性：NPN；最大工作频率：7000 MHz；集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V；发射极 - 基极电压 VEBO：2 V；集电极连续电流：0.15 A；功率耗散：1000 mW；直流集电极/Base Gain hfe Min：；最大工作温度：+ 150 C；封装 / 箱体：SOT-223；封装：Reel；

NE856M03-A供应商

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• 北京元坤伟业科技有限公司
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• NE856M03-A
• 北京元坤伟业科技有限公司
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• NEC
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• NE856M03-A
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• NE856M03-A
• 深圳市永贝尔科技有限公司
• 徐玛莉
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• CEL
• 原厂原包
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• NE856M03-A
• 北京天阳诚业科贸有限公司
• 陈志伟
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• CEL
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• NE856M03-A
• 金狮盾科技(香港)国际集团有限公司
• 曾舒媚
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• NEC/CEL
• 原装
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• NE856M03-A
• 深圳市华诺星科技有限公司
• 廖小姐
  18998919871
• California Eastern Laboratories
• F3TUSMM
• 2014+
• 1

• NE856M03-A
• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 卢云飞
  18353487207
• CEL
• 标准封装
• 近两年的
• 1598

• NE856M03-A
• 泰连在线科技有限公司
• 王小姐 18988763178
  0755-83047629
• CEL
• N/A
• 13+
• 7551