买卖IC网 >> 中文资料第33425页 >> NE960R275(0.2宽x，Ku波段功率GaAs FET MES)

NE960R275中文资料

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NE960R275参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NE960R275
  • 功能描述：射频GaAs晶体管 X KU Band MESFET；RoHS：否；制造商：TriQuint Semiconductor；技术类型：pHEMT；频率：500 MHz to 3 GHz；增益：10 dB；噪声系数：；正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4 S；漏源电压 VDS：；闸/源击穿电压：- 8 V；漏极连续电流：3 A；最大工作温度：+ 150 C；功率耗散：10 W；安装风格：；封装 / 箱体：；

NE960R275供应商

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  • 赵小姐
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  • 深圳市华夏芯科技有限公司
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  • 上海市鑫鸿达电子技术有限公司
  • 陈小姐 付先生
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  • NEC
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  • 深圳市中品正光科技有限公司
  • 王先生
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