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NGTB25N120LWG中文资料

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NGTB25N120LWG参数资料

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  • NGTB25N120LWG
  • 功能描述：IGBT 晶体管 1200/25A IGBT LPT TO-247 ；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

NGTB25N120LWG供应商

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  • 封装
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  • 标准国际(香港)有限公司
  • 朱小姐
    83617149
  • ONS
  • 13+
  • 300
  • NGTB25N120LWG
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
  • ON Semiconductor
  • TO-247
  • 15+
  • 4925
  • NGTB25N120LWG
  • 深圳市明锐微科技有限公司
  • 李先生
    0755-83255012
  • ON
  • TO-247
  • 1215+
  • 8
  • NGTB25N120LWG
  • 北京京北通宇电子元件有限公司
  • 吴潇潇
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  • ON Semiconductor
  • 标准封装
  • 14+
  • 87600
  • NGTB25N120LWG
  • 深圳市汇思成科技有限公司
  • 孙小姐
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  • ON
  • TO-247
  • 15+
  • 11200
  • NGTB25N120LWG
  • 北京华宇慧达科技有限公司
  • 郭小姐/赵小姐
    15901568215
  • ON Semiconductor
  • 原厂封装！
  • 13+/14+
  • 12500
  • NGTB25N120LWG
  • 深圳市艾力鑫科技有限公司
  • 李艳伟
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  • ONSemiconductor
  • TO-247-3
  • 13+
  • 8000
  • NGTB25N120LWG
  • 北京京北通宇电子元件有限公司
  • 张先生
    13145342044
  • ON Semiconductor
  • 原封
  • 13+
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  • NGTB25N120LWG
  • 北京远洋华创科技有限公司
  • 杨经理
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  • 原厂
  • 原厂封装
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  • ON
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