买卖IC网 >> 中文资料第33663页 >> NP40N10YDF(MOS场效应)

NP40N10YDF中文资料

  • 电子元器件
  • 中文功能描述
  • 生产厂商
  • 品牌LOGO
  • 页数
  • 文件大小
  • PDF文件
  • NP40N10YDF
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 11 Pages
  • 259.84 Kbytes
  • NP40N10YDF-E1-AY
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 11 Pages
  • 259.84 Kbytes
  • NP40N10YDF-E1-AY
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 11 Pages
  • 162.80 Kbytes
  • NP40N10YDF-E2-AY
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 11 Pages
  • 259.84 Kbytes
  • NP40N10YDF-E2-AY
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 11 Pages
  • 162.80 Kbytes
  • NP40N10YDF_13
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 11 Pages
  • 162.80 Kbytes
  • NP437
  • MOS场效应
  • YAMAICHI
    Yamaichi Electronics Co., Ltd.
  • YAMAICHI
  • 1 Pages
  • 102.86 Kbytes
  • NP481
  • MOS场效应
  • YAMAICHI
    Yamaichi Electronics Co., Ltd.
  • YAMAICHI
  • 1 Pages
  • 186.16 Kbytes
  • NP48N055KHE
  • MOS场效应
  • NEC
    NEC
  • NEC
  • 10 Pages
  • 218.63 Kbytes
  • NP48N055KLE
  • MOS场效应
  • NEC
    NEC
  • NEC
  • 10 Pages
  • 220.89 Kbytes
  • NP48N055MHE
  • MOS场效应
  • NEC
    NEC
  • NEC
  • 10 Pages
  • 218.63 Kbytes
  • NP48N055MLE
  • MOS场效应
  • NEC
    NEC
  • NEC
  • 10 Pages
  • 220.89 Kbytes
  • NP48N055NHE
  • MOS场效应
  • NEC
    NEC
  • NEC
  • 10 Pages
  • 218.63 Kbytes
  • NP48N055NLE
  • MOS场效应
  • NEC
    NEC
  • NEC
  • 10 Pages
  • 220.89 Kbytes
  • NP50P03YDG
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 8 Pages
  • 238.04 Kbytes
  • NP50P03YDG-E1-AY
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 8 Pages
  • 238.04 Kbytes
  • NP50P03YDG-E2-AY
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 8 Pages
  • 238.04 Kbytes
  • NP50P04KDG
  • MOS场效应
  • NEC
    NEC
  • NEC
  • 7 Pages
  • 181.45 Kbytes
  • NP50P04SLG
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 8 Pages
  • 241.04 Kbytes
  • NP50P04SLG-E1-AY
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 8 Pages
  • 241.04 Kbytes
  • NP50P04SLG-E2-AY
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 8 Pages
  • 241.04 Kbytes
  • NP50P06KDG
  • MOS场效应
  • NEC
    NEC
  • NEC
  • 7 Pages
  • 184.90 Kbytes
  • NP55N04SLG
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 8 Pages
  • 255.65 Kbytes
  • NP55N04SLG-E1-AY
  • MOS场效应
  • RENESAS
    Renesas Technology Corp
  • RENESAS
  • 8 Pages
  • 255.65 Kbytes

NP40N10YDF参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NP40N10YDF
  • 制造商:RENESAS;制造商全称:Renesas Technology Corp;功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR;

NP40N10YDF供应商

  • 电子元器件
  • 供应商
  • 联系方式
  • 品牌
  • 封装
  • 批号
  • 数量
  • NP40N10YDF-E1-AY
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
    0755-83350789
  • Renesas Electronics America
  • 8-HSON
  • 15+
  • 25000
  • NP40N10YDF-E1-AY
  • 深圳市海天高电子有限公司
  • 梁琳琳
    0755-83268160
  • RENESAS
  • 8-HSON
  • 15+
  • 12000