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>> NTB18N06G(功率MOSFET15 A,60 V,N沟道TO-220和D2PAK)
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功率MOSFET15 A,60 V,N沟道TO-220和D2PAK
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ONSEMI
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NTB18N06G参数资料
电子元器件
参数资料
NTB18N06G
功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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彭先生
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ONS
D2PAK
08+
20000
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深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
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ON Semiconductor
D2PAK
15+
25000
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深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售经理:马先生
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1213+
7500
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19129491934(手机优先微信同号)
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深圳市亚泰盈科电子有限公司
郑小姐
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TO263
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柯先生/赵小姐
0755-83665813
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11+
30000
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O
D2PAK
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NTB18N06G
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刘小姐
15112525775
ON
D2PAK
1413+
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深圳市胜彬电子有限公司
段群
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