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>> NTB5605P(功率MOSFET)
NTB5605P中文资料
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NTB5605P参数资料
电子元器件
参数资料
NTB5605P
功能描述:MOSFET -60V -18.5A;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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朱小姐
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中山市翔美达电子科技有限公司
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深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
何芝
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深圳市晶美隆科技有限公司
李林
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深圳市时兴宇电子有限公司
彭先生
0755-83041559
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深圳市荣泽信电子科技有限公司
荣泽信-晏S
18028731859
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15+
10000
NTB5605PG
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
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D2PAK
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