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N沟道功率MOSFET100 V,42 A,28米
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NTB6413ANG参数资料
电子元器件
参数资料
NTB6413ANG
功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 42A 28MO;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
NTB6413ANG供应商
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标准国际(香港)有限公司
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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深圳市桂鹏科技有限公司
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司
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朱小姐
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深圳市金芯睿科技有限公司
许晓辉
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