NTD12N10G
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>> NTD12N10G(功率MOSFET12安培,100伏特)
NTD12N10G中文资料
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NTD12N10G
功率MOSFET12安培,100伏特
ONSEMI
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NTD12N10T4
功率MOSFET12安培,100伏特
ONSEMI
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NTD12N10T4G
功率MOSFET12安培,100伏特
ONSEMI
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NTD14N03R
功率MOSFET12安培,100伏特
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NTD14N03R
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NTD14N03R-001
功率MOSFET12安培,100伏特
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NTD14N03R-1
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NTD14N03R-1G
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NTD14N03RG
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NTD14N03RT4
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NTD14N03RT4G
功率MOSFET12安培,100伏特
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NTD14N03R_07
功率MOSFET12安培,100伏特
ONSEMI
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功率MOSFET12安培,100伏特
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功率MOSFET12安培,100伏特
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功率MOSFET12安培,100伏特
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NTD18N06
功率MOSFET12安培,100伏特
ONSEMI
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NTD18N06
功率MOSFET12安培,100伏特
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NTD18N06G
功率MOSFET12安培,100伏特
ONSEMI
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NTD18N06L
功率MOSFET12安培,100伏特
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NTD18N06L-001
功率MOSFET12安培,100伏特
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NTD18N06L-1
功率MOSFET12安培,100伏特
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NTD18N06L-1G
功率MOSFET12安培,100伏特
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NTD18N06LG
功率MOSFET12安培,100伏特
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NTD18N06LT4
功率MOSFET12安培,100伏特
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NTD18N06LT4G
功率MOSFET12安培,100伏特
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NTD20
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NTD20N03L27
功率MOSFET12安培,100伏特
ONSEMI
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NTD20N03L27-1
功率MOSFET12安培,100伏特
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NTD20N03L27-1G
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NTD20N03L27G
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NTD20N03L27T4
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NTD20N03L27T4G
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NTD20N06
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NTD20N06L
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NTD20N06L-1
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NTD20N06L-1G
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NTD20N06LG
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NTD20N06LT4
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NTD20N06LT4G
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NTD20P06L
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ONSEMI
ON Semiconductor
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NTD12N10G参数资料
电子元器件
参数资料
NTD12N10G
功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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