买卖IC网 >> 中文资料第34212页 >> NTD23N03R(23安培,25伏,N沟道DPAK)

NTD23N03R中文资料

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NTD23N03R参数资料

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  • NTD23N03R
  • 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTD23N03R供应商

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
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  • 9000
  • NTD23N03R
  • 中山市翔美达电子科技有限公司
  • 朱小姐
    15502070655
  • ON
  • SOT-252
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  • NTD23N03R
  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
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    18028731859
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  • 10000
  • NTD23N03R
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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  • NTD23N03R
  • 甄芯网
  • 柯先生/赵小姐
    0755-83665813
  • ON
  • TO-252
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 雷春艳
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  • ON
  • ROHS
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 史仙雁
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  • ON
  • ROHS
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  • 2100
  • NTD23N03R001
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • ON
  • D-PAK/TO-252
  • 201311+
  • 6550
  • NTD23N03R-001
  • 标准国际(香港)有限公司
  • 朱小姐
    83617149
  • ON SEMICONDUCTOR
  • 7405
  • NTD23N03R-001
  • 北京京北通宇电子元件有限公司

  • 18724450645
  • TE Connectivity
  • 原厂标准封装
  • 2014
  • 3000