买卖IC网 >> 中文资料第34212页 >> NTD25P03L1G(功率MOSFET-25安培，伏特-30)

NTD25P03L1G中文资料

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NTD25P03L1G参数资料

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  • NTD25P03L1G
  • 功能描述：MOSFET -30V -25A P-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTD25P03L1G供应商

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  • 销售部经理：马先生
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  • NTD25P03L1G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理：马先生
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  • NTD25P03L1G
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  • NTD25P03L1GOS
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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