买卖IC网 >> 中文资料第34249页 >> NTGS1135PT1G(功率MOSFET-8 V，-5.8 A，单P沟道TSOP-6)

NTGS1135PT1G中文资料

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NTGS1135PT1G参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTGS1135PT1G
  • 功能描述：MOSFET 8V Power Mosfet P-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTGS1135PT1G供应商

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  • 批号
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
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  • TSOP-6
  • 14+
  • 9531
  • NTGS1135PT1G
  • 北京元坤伟业科技有限公司
  • 刘先生
    010-62104931
  • ON
  • 100%原装
  • 14+
  • 20000
  • NTGS1135PT1G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • ON Semiconductor
  • 6-TSOP
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  • NTGS1135PT1G
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  • O
  • TSOP-6
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  • TSOP-6
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  • 深圳市亿力科技有限公司
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  • NTGS1135PT1G
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  • 陈小姐
    15999608533
  • O
  • TSOP-6
  • 14+
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  • 深圳市中联芯电子有限公司
  • 张生/陈小姐（ 可开13% 增值税发票）
    0755-82725103
  • TSOP-6
  • 2014+PB
  • 65000
  • NTGS1135PT1G
  • 深圳市杭湘棋科技有限公司
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