买卖IC网 >> 中文资料第34255页 >> NTHD3101FT1(功率MOSFET和肖特基二极管)

NTHD3101FT1中文资料

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NTHD3101FT1参数资料

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  • NTHD3101FT1
  • 功能描述:MOSFET -20V -4.4A P-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTHD3101FT1供应商

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
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  • SOT363
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
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    0755-82519391
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  • NTHD3101FT1
  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司

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  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
  • 彭小姐、刘先生、李小姐
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  • 8660
  • NTHD3101FT1G
  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
  • 江小姐 ADS触摸芯片一级代理
    0755-83254770
  • ON
  • SOP-8
  • 11+ROHS
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  • NTHD3101FT1G
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
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