买卖IC网 >> 中文资料第34257页 >> NTHS5441T1G(-20 V,-5.3 A,P沟道ChipFET)

NTHS5441T1G中文资料

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NTHS5441T1G参数资料

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  • NTHS5441T1G
  • 功能描述:MOSFET -20V -5.3A P-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTHS5441T1G供应商

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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  • 销售部经理:马先生
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理:马先生
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  • 北京京华特科技有限公司
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