NTJD3158CT1G
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>> NTJD3158CT1G(功率MOSFET20 V,0.63/-0.82 A,SC-88互补,ESD保护)
NTJD3158CT1G中文资料
电子元器件
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NTJD3158CT1G
功率MOSFET20 V,0.63/-0.82 A,SC-88互补,ESD保护
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NTJD3158CT1G参数资料
电子元器件
参数资料
NTJD3158CT1G
功能描述:MOSFET 20V .63A/-.82A 630mA COMPLEMENTARY;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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朱先生
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何艳18923719180
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865000
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