买卖IC网 >> 中文资料第34257页 >> NTJD3158CT1G(功率MOSFET20 V，0.63/-0.82 A，SC-88互补，ESD保护)

NTJD3158CT1G中文资料

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NTJD3158CT1G参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTJD3158CT1G
  • 功能描述：MOSFET 20V .63A/-.82A 630mA COMPLEMENTARY；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTJD3158CT1G供应商

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