买卖IC网 >> 中文资料第34257页 >> NTJD5121NT2G(功率MOSFET60 V295毫安，双NaChannel与ESD)

NTJD5121NT2G中文资料

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NTJD5121NT2G参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTJD5121NT2G
  • 功能描述：MOSFET NFET SC88D 60V 295mA；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTJD5121NT2G供应商

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  • 标准国际(香港)有限公司
  • 朱小姐
    83617149
  • ON-SEMI
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  • NTJD5121NT2G
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
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  • O
  • SC70
  • 14+
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  • NTJD5121NT2G
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  • 李先生
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  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363
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  • NTJD5121NT2G
  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • SC88/SC706/SOT363
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  • NTJD5121NT2G
  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • ON
  • SC88/SC706/SOT363
  • 13+
  • 4000
  • NTJD5121NT2G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
  • ON Semiconductor
  • SC-88/SC70-6/SOT-363
  • 15+
  • 25000
  • NTJD5121NT2G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 雷春艳
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  • ON
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  • NTJD5121NT2G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 史仙雁
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  • 2100
  • NTJD5121NT2G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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