买卖IC网 >> 中文资料第34258页 >> NTLJD3181PZTAG(功率MOSFET-20 V，-4.0 A，？酷？双P沟道，ESD，2×2毫米的WDFN封装)

NTLJD3181PZTAG中文资料

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NTLJD3181PZTAG参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTLJD3181PZTAG
  • 功能描述：MOSFET 20V UCOOL DUAL P-CHN 4.1A；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTLJD3181PZTAG供应商

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  • 25000
  • NTLJD3181PZTAG
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