买卖IC网 >> 中文资料第34259页 >> NTLUF4189NZTBG(功率MOSFET和肖特基二极管30 V，N沟道0.5肖特基势垒二极管，1.6×1.6×0.55毫米？酷？包)

NTLUF4189NZTBG中文资料

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NTLUF4189NZTBG参数资料

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  • NTLUF4189NZTBG
  • 功能描述：MOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTLUF4189NZTBG供应商

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