NTMD6N04R2G
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>> NTMD6N04R2G(功率MOSFET40 V,5.8 A,双N沟道SOIC-8)
NTMD6N04R2G中文资料
电子元器件
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NTMD6N04R2G
功率MOSFET40 V,5.8 A,双N沟道SOIC-8
ONSEMI
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功率MOSFET40 V,5.8 A,双N沟道SOIC-8
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功率MOSFET40 V,5.8 A,双N沟道SOIC-8
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功率MOSFET40 V,5.8 A,双N沟道SOIC-8
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功率MOSFET40 V,5.8 A,双N沟道SOIC-8
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ON Semiconductor
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NTMD6N04R2G参数资料
电子元器件
参数资料
NTMD6N04R2G
功能描述:MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
NTMD6N04R2G供应商
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NTMD6N04R2G
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NTMD6N04R2G
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2500
NTMD6N04R2G
深圳市顺兴隆电子有限公司
郑先生
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SOIC-6
14+
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NTMD6N04R2G
深圳市纳谷科技有限公司
柯先生/赵先生
0755-83515102
ON
SOP8
10+
4045
NTMD6N04R2G
深圳市华斯顿电子科技有限公司
朱咸华
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