买卖IC网 >> 中文资料第34260页 >> NTMFS4833NT3G(功率MOSFET30 V,191 A单N沟道,SO-8 FL)

NTMFS4833NT3G中文资料

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NTMFS4833NT3G参数资料

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  • NTMFS4833NT3G
  • 功能描述:MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTMFS4833NT3G供应商

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    0755-83867989
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  • 13+
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  • NTMFS4833NT3G
  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
  • 彭小姐、刘先生、李小姐
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  • ON
  • 原厂原装
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  • NTMFS4833NT3G
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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  • ON Semiconductor
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  • 489400
  • NTMFS4833NT3G
  • 甄芯网
  • 柯先生/赵小姐
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  • ON
  • SO-8
  • 12+
  • 5000
  • NTMFS4833NT3G
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  • 周小姐/詹小姐
    0755-83972258
  • ON Semiconductor
  • SO-8
  • 11+
  • 20000
  • NTMFS4833NT3G
  • 恩士茂國際贸易有限公司
  • 陈小姐/蔡小姐/王先生
    86-755-83955606
  • ON
  • 诚信经营
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  • 60000
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司
  • 朱咸华
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