买卖IC网 >> 中文资料第34260页 >> NTMFS4833NT3G(功率MOSFET30 V，191 A单N沟道，SO-8 FL)

NTMFS4833NT3G中文资料

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NTMFS4833NT3G参数资料

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  • NTMFS4833NT3G
  • 功能描述：MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTMFS4833NT3G供应商

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    0755-83867989
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  • NTMFS4833NT3G
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  • ON
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  • 李林
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  • ON
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  • 12+
  • 5000
  • NTMFS4833NT3G
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  • 周小姐/詹小姐
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  • ON Semiconductor
  • SO-8
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  • NTMFS4833NT3G
  • 恩士茂國際贸易有限公司
  • 陈小姐/蔡小姐/王先生
    86-755-83955606
  • ON
  • 诚信经营
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  • 朱咸华
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