买卖IC网 >> 中文资料第34260页 >> NTMFS4899NFT3G(功率MOSFET30 V，75 A单N沟道，SO-8 FL)

NTMFS4899NFT3G中文资料

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NTMFS4899NFT3G参数资料

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  • NTMFS4899NFT3G
  • 功能描述：IGBT 晶体管 NFET SO8FL 30V 75A 5MOHM ；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

NTMFS4899NFT3G供应商

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  • ON SEMICONDUCTOR
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