买卖IC网 >> 中文资料第34261页 >> NTMS4706NR2G(功率MOSFET30 V，10.3 A单N沟道，SO-8)

NTMS4706NR2G中文资料

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NTMS4706NR2G参数资料

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  • 参数资料
  • NTMS4706NR2G
  • 功能描述：MOSFET 30V 10.3A N-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTMS4706NR2G供应商

  • 电子元器件
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  • 深圳市中平科技有限公司
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  • SOIC-8
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  • NTMS4706NR2G
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  • ON
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  • 15+
  • 10000
  • NTMS4706NR2G
  • 深圳市德江源电子有限公司
  • 张先生
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  • ON
  • SOIC
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  • 7562
  • NTMS4706NR2G
  • 深圳市柏新电子科技有限公司
  • 林小姐//方先生
    0755-88377780
  • ON
  • SMD
  • 2012+
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  • NTMS4706NR2G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
  • ON Semiconductor
  • 8-SOIC N
  • 15+
  • 25000
  • NTMS4706NR2G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 雷春艳
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  • ON
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