买卖IC网 >> 中文资料第34261页 >> NTMS4N01R2(功率MOSFET4.2安培，20伏特N沟道增强模式单一SO-8封装)

NTMS4N01R2中文资料

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NTMS4N01R2参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTMS4N01R2
  • 功能描述：MOSFET 20V 4.2A N-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTMS4N01R2供应商

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  • 标准国际(香港)有限公司
  • 朱小姐
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  • 销售经理：马先生
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  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
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  • ▲▲ON▲原装进口！公司现货！▲原装进口！公司现货！■
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  • NTMS4N01R2
  • 深圳市远晨电子有限公司
  • 周小姐/詹小姐
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  • ON
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  • NTMS4N01R2G
  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
  • 李先生
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  • 原装正品！！
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  • NTMS4N01R2G
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
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