NTR4101PT1G
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>> NTR4101PT1G(沟槽功率MOSFET-20 V,单P通道,SOT-23)
NTR4101PT1G中文资料
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NTR4101PT1G
沟槽功率MOSFET-20 V,单P通道,SOT-23
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NTRV4101P
沟槽功率MOSFET-20 V,单P通道,SOT-23
TYSEMI
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NTRV4101PT1G
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TY Semiconductor Co., Ltd
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沟槽功率MOSFET-20 V,单P通道,SOT-23
NXP
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沟槽功率MOSFET-20 V,单P通道,SOT-23
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NTS0102DP-Q100
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NTR4101PT1G参数资料
电子元器件
参数资料
NTR4101PT1G
功能描述:MOSFET -20V -3.2A P-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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ONS
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深圳市英科美电子有限公司
张先生
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SOT23-3
13+
16800
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司
李先生
13760200702
原装正品!!
38500
NTR4101PT1G
深圳市德力诚信科技有限公司
王小姐
13969210552
ON SEMICONDUCTOR
标准封装
15+
20000
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NTR4171P
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