买卖IC网 >> 中文资料第34266页 >> NTTD1P02R2(功率MOSFET-1.45安培,伏特-20)

NTTD1P02R2中文资料

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NTTD1P02R2参数资料

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  • NTTD1P02R2
  • 功能描述:MOSFET -20V -1.45A;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTTD1P02R2供应商

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  • MSOP-8
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  • NTTD1P02R2
  • 深圳市新良宇电子有限公司
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  • NTTD1P02R2
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • ON Semiconductor
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  • 深圳市瑞祺芯科技有限公司
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  • 标准国际(香港)有限公司
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  • 967
  • NTTD1P02R2G
  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • MSOP-8
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  • NTTD1P02R2G
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  • 朱小姐
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  • NTTD1P02R2G
  • 深圳市新良宇电子有限公司
  • 李先生
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  • ON Semiconductor
  • MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO
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