买卖IC网 >> 中文资料第34267页 >> NTZD3152PT5G(小信号MOSFET-20 V,-430毫安,双P沟道与ESD保护,SOT-563)

NTZD3152PT5G中文资料

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NTZD3152PT5G参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTZD3152PT5G
  • 功能描述:MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTZD3152PT5G供应商

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  • 销售部经理:马先生
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  • 深圳山琅电子科技有限公司
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    18998919871
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  • 洪小姐(可开增值税票)
    0755-83170705
  • ON SEMI
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  • 梁琳琳
    0755-83268160
  • ON
  • SOT-563
  • 15+
  • 12000
  • NTZD3152PT5G
  • 深圳瀚瑞祥科技有限公司
  • 赵小姐
    0755-83215407
  • ON进口原装
  • 原装
  • 14+/15+
  • 45000
  • NTZD3152PT5G
  • 深圳市恒美威科技有限公司
  • 张小姐/赵小姐
    0755-82767512
  • ON
  • 原厂封装
  • 1242+
  • 45000
  • NTZD3152PT5G
  • mmic_stock
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  • SOT-563,SOT-666
  • 12+
  • 10800