买卖IC网 >> 中文资料第34272页 >> NUS6189MNTWG(薄型过压保护IC,集成MOSFET)

NUS6189MNTWG中文资料

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NUS6189MNTWG参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NUS6189MNTWG
  • 功能描述:MOSFET OVP W/INTEGRATED FET;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

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