买卖IC网 >> 中文资料第34276页 >> NVB5860NT4G(N沟道功率MOSFET)

NVB5860NT4G中文资料

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NVB5860NT4G参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NVB5860NT4G
  • 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NVB5860NT4G供应商

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  • NVB5860NT4G
  • 深圳市赛恒电子科技有限公司
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  • 杨/S
    0755-83687913
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  • NVB5860NT4G
  • 深圳市华裕辉电子有限公司
  • 蔡先生
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司
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  • NVB5860NT4G
  • 深圳市海天高电子有限公司
  • 梁琳琳
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  • NVB5860NT4G
  • 深圳市迈鑫威电子科技有限公司
  • 张小姐/夏小姐/张先生
    0755-82545279/82941891/15914
  • ON Semiconductor
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  • NVB5860NT4G
  • 深圳市索瑞得电子科技有限公司
  • 李小姐
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