NVR1P02T1G
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>> NVR1P02T1G(功率MOSFET)
NVR1P02T1G中文资料
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NVR1P02T1G
功率MOSFET
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NVSL119BT
功率MOSFET
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功率MOSFET
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NVR1P02T1G参数资料
电子元器件
参数资料
NVR1P02T1G
功能描述:MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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雷春艳
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
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NVR1P02T1G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
史仙雁
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ON Semiconductor
ROHS
1308+
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何芝
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ON Semiconductor
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柯先生/赵小姐
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6000
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柯先生
0755-83980422
ON
SOT-23
2015+ROSH
39000
NVR1P02T1G
深圳市华诺星科技有限公司
廖小姐
18998919871
ON Semiconductor
SOT-23
2014+
3000
NVR1P02T1G
北京京北通宇电子元件有限公司
张先生
13145342044
ON Semiconductor
原封
13+
0
NVR1P02T1G
深圳市创达佳科技有限公司
袁R
19925423429
ON Semi
标准封装
15+
11739
NVR1P02T1G
芯科国际电子有限公司
申小姐
0755-83330991
ON Semiconductor
N/A
13+
101108
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