买卖IC网 >> 中文资料第34291页 >> NVR1P02T1G(功率MOSFET)

NVR1P02T1G中文资料

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NVR1P02T1G参数资料

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  • NVR1P02T1G
  • 功能描述:MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NVR1P02T1G供应商

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    19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
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  • 深圳市亿力科技有限公司
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  • SOT-23
  • 2015+ROSH
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  • NVR1P02T1G
  • 深圳市华诺星科技有限公司
  • 廖小姐
    18998919871
  • ON Semiconductor
  • SOT-23
  • 2014+
  • 3000
  • NVR1P02T1G
  • 北京京北通宇电子元件有限公司
  • 张先生
    13145342044
  • ON Semiconductor
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  • 深圳市创达佳科技有限公司
  • 袁R
    19925423429
  • ON Semi
  • 标准封装
  • 15+
  • 11739
  • NVR1P02T1G
  • 芯科国际电子有限公司
  • 申小姐
    0755-83330991
  • ON Semiconductor
  • N/A
  • 13+
  • 101108