买卖IC网 >> 中文资料第38135页 >> RFD10P03LSM(10A，30V，0.200欧姆，逻辑电平，P沟道功率MOSFET)

RFD10P03LSM中文资料

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RFD10P03LSM参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • RFD10P03LSM
  • 功能描述：MOSFET TO-252AA P-Ch Power ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

RFD10P03LSM供应商

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  • INTERSIL
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  • 甄芯网
  • 柯先生/赵小姐
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  • FAIRCHILD
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  • 深圳市嘉轩电子科技有限公司
  • 邓先生
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  • FAIRCHILD
  • TO-252
  • 14+
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  • 深圳市佳鑫特电子有限公司
  • 陈
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  • FAIRCHIL
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  • RFD10P03LSM

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