RFD3055LESM9A

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RFD3055LESM9A参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• RFD3055LESM9A
• 功能描述：MOSFET Power MOSFET；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

RFD3055LESM9A供应商

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• 张育豪 13360528695
  0755-23607487
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• 12000

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  13410012158
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• 深圳市思诺康科技有限公司
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• 深圳市海天鸿电子科技有限公司
• 彭小姐、刘先生、李小姐
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• FAI
• Tape&Reel
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• 深圳市英科美电子有限公司
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  0755-23903058
• FAIRCHILD
• 原厂封装
• 13+
• 52500

• RFD3055LESM9A
• 中山市翔美达电子科技有限公司
• 朱小姐
  15502070655
• FAIRCHILD
• TO-252
• 11+
• 6000

• RFD3055LESM9A
• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 张
  18724450645
• FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
• 14+
• 25000

• RFD3055LESM9A
• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
  0755-83946385
• FSC
• Standard
• 15+
• 10000

• RFD3055LESM9A
• 深圳市科思奇电子科技有限公司
• 林小姐/欧阳先生
  0755-83245050
• FAIRCHILD
• SOT-252
• 2015+
• 12000