买卖IC网 >> 中文资料第38137页 >> RFH35N10(功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管)

RFH35N10中文资料

  • 电子元器件
  • 中文功能描述
  • 生产厂商
  • 品牌LOGO
  • 页数
  • 文件大小
  • PDF文件
  • RFH35N10
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • ETC1
    List of Unclassifed Manufacturers
  • ETC1
  • 4 Pages
  • 217.02 Kbytes
  • RFH45N05
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • ETC
    List of Unclassifed Manufacturers
  • ETC
  • 8 Pages
  • 439.16 Kbytes
  • RFH45N06
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • ETC
    List of Unclassifed Manufacturers
  • ETC
  • 8 Pages
  • 439.16 Kbytes
  • RFH54006
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • MACOM
    Tyco Electronics
  • MACOM
  • 3 Pages
  • 190.18 Kbytes
  • RFH54006WG
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • MACOM
    Tyco Electronics
  • MACOM
  • 3 Pages
  • 190.18 Kbytes
  • RFH54009
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • MACOM
    Tyco Electronics
  • MACOM
  • 3 Pages
  • 190.18 Kbytes
  • RFH54009WG
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • MACOM
    Tyco Electronics
  • MACOM
  • 3 Pages
  • 190.18 Kbytes
  • RFH54012
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • MACOM
    Tyco Electronics
  • MACOM
  • 3 Pages
  • 190.18 Kbytes
  • RFH54012WG
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • MACOM
    Tyco Electronics
  • MACOM
  • 3 Pages
  • 190.18 Kbytes
  • RFH54024
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • MACOM
    Tyco Electronics
  • MACOM
  • 3 Pages
  • 190.18 Kbytes
  • RFH54024WG
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • MACOM
    Tyco Electronics
  • MACOM
  • 3 Pages
  • 190.18 Kbytes
  • RFHA1000
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 906.52 Kbytes
  • RFHA1000PCBA-410
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 906.52 Kbytes
  • RFHA1000S2
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 906.52 Kbytes
  • RFHA1000SB
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 906.52 Kbytes
  • RFHA1000SQ
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 906.52 Kbytes
  • RFHA1000SR
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 906.52 Kbytes
  • RFHA1000TR7
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 906.52 Kbytes
  • RFHA1003
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1071.47 Kbytes
  • RFHA1003PCBA-410
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1071.47 Kbytes
  • RFHA1003S2
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1071.47 Kbytes
  • RFHA1003SB
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1071.47 Kbytes
  • RFHA1003SQ
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1071.47 Kbytes
  • RFHA1003SR
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1071.47 Kbytes
  • RFHA1003TR7
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1071.47 Kbytes
  • RFHA1006
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1628.55 Kbytes
  • RFHA1006PCBA-410
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1628.55 Kbytes
  • RFHA1006S2
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1628.55 Kbytes
  • RFHA1006SB
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1628.55 Kbytes
  • RFHA1006SQ
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1628.55 Kbytes
  • RFHA1006SR
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1628.55 Kbytes
  • RFHA1006TR7
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 11 Pages
  • 1628.55 Kbytes
  • RFHA1020
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 745.64 Kbytes
  • RFHA1020PCBA-410
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 745.64 Kbytes
  • RFHA1020S2
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 745.64 Kbytes
  • RFHA1020SB
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 745.64 Kbytes
  • RFHA1020SQ
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 745.64 Kbytes
  • RFHA1020SR
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 745.64 Kbytes
  • RFHA1020TR13
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 745.64 Kbytes
  • RFHA1025
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 871.73 Kbytes
  • RFHA1025PCBA-410
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 871.73 Kbytes
  • RFHA1025S2
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 871.73 Kbytes
  • RFHA1025SB
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 871.73 Kbytes
  • RFHA1025SQ
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 871.73 Kbytes
  • RFHA1025SR
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 871.73 Kbytes
  • RFHA1025TR13
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • RFMD
    RF Micro Devices
  • RFMD
  • 10 Pages
  • 871.73 Kbytes
  • RFHCS362AF
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • MICROCHIP
    Microchip Technology
  • MICROCHIP
  • 60 Pages
  • 502.28 Kbytes
  • RFHCS362AG
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • MICROCHIP
    Microchip Technology
  • MICROCHIP
  • 60 Pages
  • 502.28 Kbytes
  • RFHCS362F
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • MICROCHIP
    Microchip Technology
  • MICROCHIP
  • 60 Pages
  • 502.28 Kbytes
  • RFHCS362F
  • 功率MOS FIELD - 场效应晶体管N - 沟道增强 - 型发电场 - 场效应晶体管
  • MICROCHIP
    Microchip Technology
  • MICROCHIP
  • 54 Pages
  • 928.98 Kbytes

RFH35N10参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • RFH35N10
  • 制造商:未知厂家;制造商全称:未知厂家;功能描述:POWER MOS FIELD - EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD - EFFECT TRANSISTORS;

RFH35N10供应商

  • 电子元器件
  • 供应商
  • 联系方式
  • 品牌
  • 封装
  • 批号
  • 数量
  • RFH35N10
  • 深圳市中平科技有限公司
  • 赖先生
    0755-83946385
  • FAIRCHILD
  • TO-3P
  • 15+
  • 15408
  • RFH35N10
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
    19129491934(手机优先微信同号)
  • 哈理斯
  • TO-3P
  • 13+
  • 4810
  • RFH35N10
  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
  • 陈小姐
    13428937514
  • INF
  • TO
  • 2015+
  • 9800
  • RFH35N10
  • 深圳市奥捷尔电子科技有限公司
  • 杨小姐
    13620995027
  • 仙童
  • 12+
  • 10000
  • RFH35N10
  • 深圳市富利微电子科技有限公司
  • 肖先生/朱小姐
    0755-23894711
  • intersil
  • TO-200
  • 15+
  • 7688
  • RFH35N10
  • 深圳市恒胜泰科技有限公司
  • 林先生/林小姐
    0755-82521107
  • FAIRCHILD
  • TO-3P
  • 新年份
  • 15408
  • RFH35N10
  • 深圳山琅电子科技有限公司
  • 山琅电子
    18665358069
  • Harris
  • TO-218
  • 1328+
  • 66000
  • RFH35N10
  • 深圳山琅电子科技有限公司
  • 刘小姐
    86-755-83268069
  • Harris
  • TO-218
  • 14+
  • 9875
  • RFH35N10
  • 深圳市赛恒电子科技有限公司
  • 曾先生,张小姐
    0755-23604337
  • FAIRCHILD
  • TO-3P
  • 1513+
  • 5120
  • RFH35N10
  • 潇湘伟业(深圳)电子有限公司
  • 肖先生/雷先生
    13266767207
  • intersil/FSC
  • TO218
  • 13+
  • 6651