RFM10N12
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>> RFM10N12(n沟道增强模式功率场效应晶体管)
RFM10N12中文资料
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RFM10N12
n沟道增强模式功率场效应晶体管
GESS
GE Solid State
4 Pages
211.91 Kbytes
RFM10N15
n沟道增强模式功率场效应晶体管
GESS
GE Solid State
4 Pages
211.91 Kbytes
RFM10N45
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
4 Pages
31.32 Kbytes
RFM10N50
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
4 Pages
31.32 Kbytes
RFM10P12
n沟道增强模式功率场效应晶体管
GESS
GE Solid State
4 Pages
242.88 Kbytes
RFM10P15
n沟道增强模式功率场效应晶体管
GESS
GE Solid State
4 Pages
242.88 Kbytes
RFM12N08
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
5 Pages
43.20 Kbytes
RFM12N10
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
5 Pages
43.20 Kbytes
RFM12N18
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
4 Pages
35.64 Kbytes
RFM12N20
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
4 Pages
35.64 Kbytes
RFM12N35
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
4 Pages
31.37 Kbytes
RFM12N40
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
4 Pages
31.37 Kbytes
RFM12P08
n沟道增强模式功率场效应晶体管
GE
General Semiconductor
12 Pages
676.83 Kbytes
RFM12U7X
n沟道增强模式功率场效应晶体管
TOSHIBA
Toshiba Semiconductor
5 Pages
182.35 Kbytes
RFM15N05
n沟道增强模式功率场效应晶体管
ETC
List of Unclassifed Manufacturers
4 Pages
227.59 Kbytes
RFM15N05L
n沟道增强模式功率场效应晶体管
ETC
List of Unclassifed Manufacturers
4 Pages
227.59 Kbytes
RFM15N06L
n沟道增强模式功率场效应晶体管
ETC
List of Unclassifed Manufacturers
4 Pages
227.59 Kbytes
RFM15N12
n沟道增强模式功率场效应晶体管
GESS
GE Solid State
4 Pages
234.20 Kbytes
RFM15N15
n沟道增强模式功率场效应晶体管
GESS
GE Solid State
4 Pages
234.20 Kbytes
RFM1765-10
n沟道增强模式功率场效应晶体管
RFHIC
RFHIC
3 Pages
218.03 Kbytes
RFM1842-10
n沟道增强模式功率场效应晶体管
RFHIC
RFHIC
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RFM1855-10
n沟道增强模式功率场效应晶体管
RFHIC
RFHIC
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n沟道增强模式功率场效应晶体管
RFHIC
RFHIC
3 Pages
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RFM18N08
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
5 Pages
38.36 Kbytes
RFM18N10
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
5 Pages
38.36 Kbytes
RFM1950-10
n沟道增强模式功率场效应晶体管
RFHIC
RFHIC
3 Pages
217.81 Kbytes
RFM2140-10
n沟道增强模式功率场效应晶体管
RFHIC
RFHIC
3 Pages
218.60 Kbytes
RFM25N05
n沟道增强模式功率场效应晶体管
ETC
List of Unclassifed Manufacturers
4 Pages
235.65 Kbytes
RFM25N06
n沟道增强模式功率场效应晶体管
ETC
List of Unclassifed Manufacturers
4 Pages
235.65 Kbytes
RFM3N45
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
10 Pages
81.94 Kbytes
RFM3N50
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
10 Pages
81.94 Kbytes
RFM4N35
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
4 Pages
38.53 Kbytes
RFM4N40
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
4 Pages
38.53 Kbytes
RFM5P12
n沟道增强模式功率场效应晶体管
MOSPEC
Mospec Semiconductor
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RFM5P15
n沟道增强模式功率场效应晶体管
MOSPEC
Mospec Semiconductor
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RFM6N45
n沟道增强模式功率场效应晶体管
INTERSIL
Intersil Corporation
4 Pages
32.82 Kbytes
RFM6P08
n沟道增强模式功率场效应晶体管
ETC
List of Unclassifed Manufacturers
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445.58 Kbytes
RFM6P10
n沟道增强模式功率场效应晶体管
ETC
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445.58 Kbytes
RFM73100RDC2P
n沟道增强模式功率场效应晶体管
TOKEN
Token Electronics Industry Co., Ltd.
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n沟道增强模式功率场效应晶体管
TOKEN
Token Electronics Industry Co., Ltd.
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TOKEN
Token Electronics Industry Co., Ltd.
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RFM73100RDC3T
n沟道增强模式功率场效应晶体管
TOKEN
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TOKEN
Token Electronics Industry Co., Ltd.
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n沟道增强模式功率场效应晶体管
TOKEN
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RFM73100RDC6P
n沟道增强模式功率场效应晶体管
TOKEN
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n沟道增强模式功率场效应晶体管
TOKEN
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RFM73100RFC2P
n沟道增强模式功率场效应晶体管
TOKEN
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n沟道增强模式功率场效应晶体管
TOKEN
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TOKEN
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n沟道增强模式功率场效应晶体管
TOKEN
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RFM10N12参数资料
电子元器件
参数资料
RFM10N12
制造商:GESS;制造商全称:GESS;功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS;
RFM10N12供应商
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刘先生
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N/A
标准封装
13+
3000
RFM10N12
深圳市一线半导体有限公司
谢S,柯S,陈S、林S、曾S
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HARIIS
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12+
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深圳市潮华微电子科技有限公司
陈先生,蔡小姐
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HARRIS
TO-3
1999
1965
RFM10N12
潇湘伟业(深圳)电子有限公司
肖先生/雷先生
13266767207
HARIIS
TO-3
13+
6932
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深圳市凯龙高科电子技术有限公司
谭工
0755-83754250
HARRIS
标准封装
983
RFM10N12
深圳市金山顺电子有限公司
13723477028
0755-83345828
1509+
4420
RFM10N12
深圳市汇驰丰科技有限公司
朱小姐
086-0755-83268550
Harris
CAN
13/14+
71260
RFM10N12
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黄小姐
0755-23611752
HARRIS
TO-3
2015+
11500
RFM10N12
深圳市鼎诚讯电子科技有限公司
朱卫良
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HARRIS
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38160
38161
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38165
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38171
38172
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38175
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