买卖IC网 >> 中文资料第38142页 >> RFP4N100(4.3A，1000V，3.500欧姆，高电压，N沟道功率MOSFET)

RFP4N100中文资料

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RFP4N100参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • RFP4N100
  • 功能描述：MOSFET TO-220AB N-Ch Power ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

RFP4N100供应商

  • 电子元器件
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  • IR
  • TO-220
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  • 19875
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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
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  • to220
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  • 8800
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
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  • INTERSIL
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  • 9531
  • RFP4N100
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理：马先生
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  • TO-220
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  • 柯先生/赵小姐
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  • 2000
  • RFP4N100
  • 深圳市莱克讯科技有限公司
  • 刘小姐(进口原装 品质保证)
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  • NJS
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  • 杨小姐
    13620995027
  • 仙童
  • 12+
  • 10000
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  • 深圳市恒达胜电子有限公司
  • 方先生
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  • HARRS
  • TO-220
  • 12+
  • 680
  • RFP4N100
  • 深圳市深创辉科技有限公司
  • 徐小姐
    13714450367
  • 哈里斯
  • TO-220
  • 14+
  • 672200