买卖IC网 >> 中文资料第38142页 >> RFP70N03(70A,30V,额定雪崩的N-沟道增强型功率MOSFET)

RFP70N03中文资料

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RFP70N03参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • RFP70N03
  • 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power ;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

RFP70N03供应商

  • 电子元器件
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
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  • 深圳市中平科技有限公司
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  • RFP70N03
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理:马先生
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  • RFP70N03
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  • RFP70N03
  • 深圳市深创辉科技有限公司
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  • HAR
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  • 07+
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  • 深圳市嘉轩电子科技有限公司
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    0755-82787607
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  • RFP70N03
  • 深圳市海胜电子
  • 陈先生
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  • RFP70N03
  • 深圳市佳鑫特电子有限公司

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