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TA20XXX中文资料

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  • OHMITE
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  • 相位控制可控硅（1600-1800安培平均100-2200伏）
  • OHMITE
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  • TA2111F
  • 相位控制可控硅（1600-1800安培平均100-2200伏）
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  • TOSHIBA
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  • TOSHIBA
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  • TA2152FLG
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TA20XXX参数资料

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  • TA20XXX
  • 制造商：POWEREX；制造商全称：Powerex Power Semiconductors；功能描述：Phase Control SCR (1600-1800 Amperes Avg 100-2200 Volts)；