TC--350
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>> TC--350(RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET)
TC--350中文资料
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TC--350
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
FREESCALE
Freescale Semiconductor, Inc
23 Pages
857.08 Kbytes
TC-10-01B
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
477.09 Kbytes
TC-10-02B
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
477.09 Kbytes
TC-10-03B
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
477.09 Kbytes
TC-10-04B
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
477.09 Kbytes
TC-10-05B
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
477.09 Kbytes
TC-10-06B
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
477.09 Kbytes
TC-10-07B
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
477.09 Kbytes
TC-10-08B
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
477.09 Kbytes
TC-10-09B
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
477.09 Kbytes
TC-10-10B
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
477.09 Kbytes
TC-10-11B
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
477.09 Kbytes
TC-10-12B
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
477.09 Kbytes
TC-1012505
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
PREMO
PREMO CORPORATION S.L
2 Pages
231.25 Kbytes
TC-1015005
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
PREMO
PREMO CORPORATION S.L
2 Pages
231.25 Kbytes
TC-1188
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MICROCHIP
Microchip Technology
16 Pages
301.28 Kbytes
TC-1189
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MICROCHIP
Microchip Technology
16 Pages
301.28 Kbytes
TC-140
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
88.87 Kbytes
TC-140-BAB-1PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
88.87 Kbytes
TC-140-BAB-207
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BAB-4PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BAB-ST3
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BAC-1PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BAC-4PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BAC-507
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BAC-ST3
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BAF-106
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BAF-4PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BBB-1PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BBB-207
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BBB-4PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BBB-ST3
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BBC-1PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BBC-4PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BBC-507
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BBC-ST3
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BBF-106
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BBF-4PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BGB-1PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BGB-207
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BGB-4PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BGB-ST3
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BGC-1PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BGC-4PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BGC-507
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BGC-ST3
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
2 Pages
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TC-140-BGF-106
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
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Vectron International, Inc
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TC-140-BGF-4PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
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TC-140-BJB-1PM
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
VECTRON
Vectron International, Inc
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TC-140-BJB-207
RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
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TC--350参数资料
电子元器件
参数资料
TC--350
制造商:FREESCALE;制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc;功能描述:RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs;
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