U18

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• U18
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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  Unisonic Technologies
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• U18
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• UTC
  Unisonic Technologies
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• U18-G03-D-K
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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  Unisonic Technologies
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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  Unisonic Technologies
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• TI
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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  Texas Instruments
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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  Texas Instruments
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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  Texas Instruments
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• U18416E
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
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• U18492E
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• RENESAS
  Renesas Technology Corp
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• U1897
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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• U1898
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• INTERSIL
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• 2 Pages
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• U1899
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• INTERSIL
  Intersil Corporation
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• U18L-G03-D-K
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• UTC
  Unisonic Technologies
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• U18L-G03-K
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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  Unisonic Technologies
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• U18_07
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• YEASHIN
  Yea Shin Technology Co., Ltd
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• U1AFS1500-FG256
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• ACTEL
  Actel Corporation
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• U1AFS1500-FG256
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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• U1AFS1500-FG256I
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• ACTEL
  Actel Corporation
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• ACTEL
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• ACTEL
  Actel Corporation
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• ACTEL
  Actel Corporation
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• ACTEL
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• U1AFS600
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• MICROSEMI
  Microsemi Corporation
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• ACTEL
  Actel Corporation
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• ACTEL
  Actel Corporation
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• ACTEL
  Actel Corporation
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• ACTEL
  Actel Corporation
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• U1AFS600-FGG256I
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• ACTEL
  Actel Corporation
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• U1B
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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• 4 Pages
• 103.42 Kbytes

• U1B
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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• 4 Pages
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• U1B
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• TAYCHIPST
  Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
• 
• 2 Pages
• 2516.99 Kbytes

• U1B
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• YEASHIN
  Yea Shin Technology Co., Ltd
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• U1BC44
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• TOSHIBA
  Toshiba Semiconductor
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• U1BC44
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• TOSHIBA
  Toshiba Semiconductor
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• U1B_11
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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• U1C
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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• 103.42 Kbytes

• U1C
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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• 4 Pages
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• TAYCHIPST
  Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
• 
• 2 Pages
• 2516.99 Kbytes

• U1D
• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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• 4 Pages
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• VISHAY
  Vishay Siliconix
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• 4 Pages
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
• TAYCHIPST
  Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
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• 双极锁存型霍尔效应的高TEMPERARURE操作
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  Yea Shin Technology Co., Ltd
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U18参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• U18
• 制造商：UTC-IC；制造商全称：UTC-IC；功能描述：BIPOLAR LATCH TYPE HALL-EFFECT FOR HIGH-TEMPERARURE OPERATION；

U18供应商

• 电子元器件
• 供应商
• 联系方式
• 品牌
• 封装
• 批号
• 数量

• U180F10L3
• 北京元坤伟业科技有限公司
• 刘先生
  010-62104931
• ST
• 原厂封装
• 07/08+
• 3000

• U180F10L3
• 北京元坤伟业科技有限公司
• 刘先生
  010-62104931
• ST
• 原厂封装
• 07/08+
• 3000

• U18-23S2
• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
  13969210552
• Souriau
• 标准封装
• 15+
• 20000

• U1829
• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 张
  18724450645
• APEM
• 14+
• 25000

• U1829
• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
  13969210552
• Apem Inc.
• 标准封装
• 15+
• 20000

• U1831
• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
  13969210552
• Apem Inc.
• 标准封装
• 15+
• 20000

• U184146
• 北京元坤伟业科技有限公司
• 刘先生
  010-62104931
• 原厂品牌
• 标准封装
• 09/10+
• 3000

• U184146
• 北京元坤伟业科技有限公司
• 刘先生
  010-62104931
• NULL
• NULL
• 09/10+
• 3000

• U184146
• 北京元坤伟业科技有限公司
• 刘先生
  010-62104931
• NULL
• NULL
• 09/10+
• 3000

• U184182REVA
• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
  0755-83946385
• AMIS
• QFP
• 15+
• 5002