买卖IC网 >> 中文资料第45486页 >> ULN2002ANE4(高压大电流达林顿晶体管阵列)

ULN2002ANE4中文资料

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ULN2002ANE4参数资料

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  • ULN2002ANE4
  • 功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays;RoHS:否;制造商:Texas Instruments;配置:Octal;晶体管极性:NPN;集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V;发射极 - 基极电压 VEBO:;集电极—基极电压 VCBO:;最大直流电集电极电流:0.5 A;最大集电极截止电流:;功率耗散:;最大工作温度:+ 150 C;安装风格:SMD/SMT;封装 / 箱体:SOIC-18;封装:Reel;

ULN2002ANE4供应商

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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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  • 16-DIP(0.300",7.62mm)
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  • ULN2002ANE4
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  • 谢S/曾S/钟S陈S/张S/刘S
    0755-88608801
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  • 深圳市诚研翔科技有限公司
  • 蔡S / 蔡S
    0755-23915567
  • Texas Instruments
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  • 深圳市洪芯洪科技有限公司
  • 曹小姐
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  • Texas Instruments
  • 16-DIP(0.300",7.62mm)
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  • 深圳市海瑞安科技有限公司
  • 李先生 肖小姐
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  • ULN2002ANE4
  • 深圳市迪思诺电子科技有限公司
  • 肖R
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