ULN2003AIDRE4

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ULN2003AIDRE4参数资料

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• 参数资料

• ULN2003AIDRE4
• 功能描述：达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays；RoHS：否；制造商：Texas Instruments；配置：Octal；晶体管极性：NPN；集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V；发射极 - 基极电压 VEBO：；集电极—基极电压 VCBO：；最大直流电集电极电流：0.5 A；最大集电极截止电流：；功率耗散：；最大工作温度：+ 150 C；安装风格：SMD/SMT；封装 / 箱体：SOIC-18；封装：Reel；

ULN2003AIDRE4供应商

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• 深圳市佳斯泰科技有限公司
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• ULN2003AIDRE4
• 深圳市德江源电子有限公司
• 张先生
  82966416
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• SOP-16
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
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• 16-SOIC
• 15+
• 3000

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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部：马先生
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• ULN2003AIDRE4
• 深圳市胜彬电子有限公司
• 段群
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• SOP-16
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• ULN2003AIDRE4
• 深圳市硅宇电子有限公司
• 唐中秋/张三军
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• TI
• SOIC
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• ULN2003AIDRE4
• 深圳市佳斯泰科技有限公司
• 李先生
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• 9000

• ULN2003AIDRE4
• 深圳市一线半导体有限公司
• 谢S/曾S/钟S陈S/张S/刘S
  0755-88608801
• Texas Instruments
• 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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• ULN2003AIDRE4
• 深圳市佳斯泰科技有限公司
• 廖素君
  0755-83261895
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• SOP-16
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