ULN2004AINSR

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ULN2004AINSR参数资料

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• ULN2004AINSR
• 功能描述：达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array；RoHS：否；制造商：Texas Instruments；配置：Octal；晶体管极性：NPN；集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V；发射极 - 基极电压 VEBO：；集电极—基极电压 VCBO：；最大直流电集电极电流：0.5 A；最大集电极截止电流：；功率耗散：；最大工作温度：+ 150 C；安装风格：SMD/SMT；封装 / 箱体：SOIC-18；封装：Reel；

ULN2004AINSR供应商

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• 深圳市佳斯泰科技有限公司
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• ULN2004AINSR
• 深圳市科思奇电子科技有限公司
• 林小姐/欧阳先生
  0755-83245050
• Texas Instruments
• 16-SOIC (5.3mm Width)， 16-SO， 16-SOEIIJ
• 2015+
• 3308

• ULN2004AINSR
• 北京元坤伟业科技有限公司
• 刘先生
  010-62104931
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• NS
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• ULN2004AINSRE4
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部：马先生
  0755-83350789
• Texas Instruments
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• ULN2004AINSRG4
• 深圳市晶美隆科技有限公司
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• 深圳市湘达电子有限公司
• 朱平
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