ULQ2004ATDRQ1
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>> ULQ2004ATDRQ1(高压大电流达林顿晶体管阵列)
ULQ2004ATDRQ1中文资料
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ULQ2004ATDRQ1
高压大电流达林顿晶体管阵列
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ULQ2004ATDRQ1
高压大电流达林顿晶体管阵列
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ULQ2004D1
高压大电流达林顿晶体管阵列
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高压大电流达林顿晶体管阵列
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高压大电流达林顿晶体管阵列
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高压大电流达林顿晶体管阵列
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高压大电流达林顿晶体管阵列
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高压大电流达林顿晶体管阵列
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高压大电流达林顿晶体管阵列
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高压大电流达林顿晶体管阵列
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高压大电流达林顿晶体管阵列
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ULQ2004ATDRQ1参数资料
电子元器件
参数资料
ULQ2004ATDRQ1
功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array;RoHS:否;制造商:Texas Instruments;配置:Octal;晶体管极性:NPN;集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V;发射极 - 基极电压 VEBO:;集电极—基极电压 VCBO:;最大直流电集电极电流:0.5 A;最大集电极截止电流:;功率耗散:;最大工作温度:+ 150 C;安装风格:SMD/SMT;封装 / 箱体:SOIC-18;封装:Reel;
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13/14+
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林小姐//方先生
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16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
15+
180018
ULQ2004ATDRQ1
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周小姐/詹小姐
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TI
16SOIC/-40~125
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20000
ULQ2004ATDRQ1
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雷先生/李小姐
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TEXASINSTRUMENTS
原厂封装
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53600
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