V5X5P
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>> V5X5P(Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用)
V5X5P中文资料
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V5X5P
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
7 Pages
174.19 Kbytes
V5X683-B-10
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
SUPERWORLD
Superworld Electronics
11 Pages
399.68 Kbytes
V600HR
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ETC2
List of Unclassifed Manufacturers
1 Pages
26.45 Kbytes
V600ME02
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
53.60 Kbytes
V600ME02-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
88.40 Kbytes
V600ME02-LF_10
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
88.41 Kbytes
V600ME05
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
98.01 Kbytes
V600ME05-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
72.01 Kbytes
V600ME05-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
90.58 Kbytes
V600ME05-LF_10
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
90.58 Kbytes
V600ME06
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
100.52 Kbytes
V600ME06-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
85.51 Kbytes
V600ME06-LF_10
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
85.55 Kbytes
V600ME07
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
101.64 Kbytes
V600ME10
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
101.76 Kbytes
V600ME10-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
78.12 Kbytes
V600ME10-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
91.37 Kbytes
V600ME10-LF_10
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
91.37 Kbytes
V600ME11
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
121.78 Kbytes
V600ME11-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
94.07 Kbytes
V600ME11-LF_10
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
93.20 Kbytes
V600ME12
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
47.55 Kbytes
V600ME12-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
73.56 Kbytes
V600ME12-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
100.19 Kbytes
V600ME12-LF_10
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
100.19 Kbytes
V600ME14-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
91.79 Kbytes
V600ME18-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
90.80 Kbytes
V600ME18-LF_10
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
90.86 Kbytes
V600ME20-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
93.35 Kbytes
V600ME27-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
93.21 Kbytes
V600ME34-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
90.99 Kbytes
V600ME37-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
94.50 Kbytes
V600ME45-LF
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
ZCOMM
Z-Communications, Inc
2 Pages
91.54 Kbytes
V60100C
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
5 Pages
149.29 Kbytes
V60100C
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
133.06 Kbytes
V60100C
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
5 Pages
146.76 Kbytes
V60100C-E3/4W
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
5 Pages
149.29 Kbytes
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V60100C-E3/4W
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
5 Pages
150.74 Kbytes
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V60100C-E3/4W
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
5 Pages
146.76 Kbytes
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V60100C-M3-4W
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
133.06 Kbytes
V60100C_08
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
5 Pages
150.74 Kbytes
V60100C_09
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
133.06 Kbytes
V60100C_12
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
5 Pages
146.76 Kbytes
V60100P
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
5 Pages
107.35 Kbytes
V60100P-E3/45
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
5 Pages
107.35 Kbytes
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V60100PW
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
83.71 Kbytes
V60100PW-M3-4W
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
4 Pages
83.71 Kbytes
V60120C
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
5 Pages
142.28 Kbytes
V60120C
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
5 Pages
134.37 Kbytes
V60120C-E3/4W
Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005%,在混合电路使用
VISHAY
Vishay Siliconix
5 Pages
142.28 Kbytes
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V5X5P参数资料
电子元器件
参数资料
V5X5P
制造商:VISHAY;制造商全称:Vishay Siliconix;功能描述:Bulk Metal? Foil Technology Discrete Chips with TCR of 2 ppm/°C and Tolerance to 0.005 % for use in Hybrid Circuits;
V5X5P供应商
电子元器件
供应商
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品牌
封装
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数量
V5X5P
北京鼎帆伟业科技有限公司
田先生
010-62967982
VISAY
VISAY优势经销商
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2000
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