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>> VN1306N2(N沟道增强模式垂直DMOS场效应管)
VN1306N2中文资料
电子元器件
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VN1306N2
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
4 Pages
28.22 Kbytes
VN1306N3
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
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VN1310
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
4 Pages
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
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VN1316N3
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SHIELD
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2 Pages
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SHIELD
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SHIELD
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SHIELD
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SHIELD
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SHIELD
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SHIELD
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SHIELD
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
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Supertex, Inc
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
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VN1550
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
SUTEX
Supertex, Inc
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VN16-210-0014-X
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
AMPHENOL
Amphenol Corporation
7 Pages
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
VAISH
Vaishali Semiconductor
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
VAISH
Vaishali Semiconductor
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
VAISH
Vaishali Semiconductor
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
VAISH
Vaishali Semiconductor
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VN16218L2
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
VAISH
Vaishali Semiconductor
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VN16B
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics
11 Pages
185.47 Kbytes
VN16B
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
STMICROELECTRONICS
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
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STMicroelectronics
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics
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VN16BSP
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics
9 Pages
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VN16BSP
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics
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VN16BSP13TR
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics
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VN16BSP_04
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
STMICROELECTRONICS
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics
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VN2001L
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
VISHAY
Vishay Siliconix
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VN2001L-TR1
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
VISHAY
Vishay Siliconix
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
VISHAY
Vishay Siliconix
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VN2010L
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
TEMIC
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VN20AN
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
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N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
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STMicroelectronics
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VN20N011Y
N沟道增强模式垂直DMOS场效应管
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics
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VN1306N2参数资料
电子元器件
参数资料
VN1306N2
制造商:SUPERTEX;制造商全称:SUPERTEX;功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs;
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深圳市荣泽信电子科技有限公司
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北京天阳诚业科贸有限公司
洪先生
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现货库存,数量价格请加QQ:2850707135
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VN1306N2
深圳市明锐微科技有限公司
李先生
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8736
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深圳市莱特斯电子科技有限公司
江先生
19176527791
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na
2014+
9600
VN1306N2
深圳市讯顺达科技有限公司一部
李小姐/卓小姐/蔡小姐
0755-23915567
SIL
CAN3
5000
VN1306N2
深圳市永德川科技有限公司
陈小姐
15999608533
SU
原厂封装
14+
5000
VN1306N2
深圳市一线半导体有限公司
谢S,柯S,陈S、林S、曾S
0755-88608801
12+
46650
VN1306N2
深圳市迈的特电子有限公司
陈小姐
13537709675
SU
8736
1
VN1306N2
深圳市诚研翔科技有限公司
蔡S / 蔡S
0755-23915567
SIL
CAN3
5000
VN1306N2
深圳市鑫宇杨电子科技公司
肖先生。欧阳小姐
17820397287
DALLS
原厂封装
14+
35000
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