VN2106N3-G

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VN2106N3-G参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• VN2106N3-G
• 功能描述：MOSFET 60V 4Ohm；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

VN2106N3-G供应商

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• 深圳市湘达电子有限公司
• 朱平
  0755-83229772-83202753
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• 深圳市高创鑫电子科技有限公司
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• Superte
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• VN2106N3-G
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
  0755-88377780
• Super
• TO-92
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• VN2106N3-G
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• VN2106N3-G
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• Super
• TO-92
• 最新批次
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• 金狮盾科技(香港)国际集团有限公司
• 曾舒媚
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• Supertex
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• 深圳市一线半导体有限公司
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• 12+
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• VN2106N3-G
• 壹诺半导体（深圳）有限公司
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• Microchip
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• 65000

• VN2106N3-G
• 深圳市柏新电子有限公司
• 林小姐/方先生
  0755-88377780
• Super
• TO-92
• 2013
• 107

• VN2106N3-G
• 北京华宇慧达科技有限公司
• 郭小姐/赵小姐
  15901568215
• Supertex Inc
• 原厂封装！
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• 12500