WNM2016-3
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>> WNM2016-3(N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流)
WNM2016-3中文资料
电子元器件
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WNM2016-3
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
165.09 Kbytes
WNM2016-3TR
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
165.09 Kbytes
WNM2020
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
245.62 Kbytes
WNM2020-3
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
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WNM2020-3TR
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
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WNM2023
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
871.04 Kbytes
WNM2023-3
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
871.04 Kbytes
WNM2023-3TR
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
871.04 Kbytes
WNM2024
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
753.50 Kbytes
WNM2024-3
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
753.50 Kbytes
WNM2024-3TR
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
753.50 Kbytes
WNM2025
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
819.00 Kbytes
WNM2025-3
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
819.00 Kbytes
WNM2025-3TR
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
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WNM2027
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
183.38 Kbytes
WNM2027-3
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
183.38 Kbytes
WNM2027-3TR
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
183.38 Kbytes
WNM2034
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
306.00 Kbytes
WNM2034-3
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
306.00 Kbytes
WNM2034-3TR
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
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WNM3003
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
500.01 Kbytes
WNM3003-3
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
500.01 Kbytes
WNM3003-3TR
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
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WNM3008
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
176.73 Kbytes
WNM3008-3
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
176.73 Kbytes
WNM3008-3TR
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
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WNM4006
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
186.78 Kbytes
WNM4006-3
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
186.78 Kbytes
WNM4006-3TR
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
TYSEMI
TY Semiconductor Co., Ltd
3 Pages
186.78 Kbytes
WNP1W
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
ABCO
ABCO ELECTRONICS CO.LTD
1 Pages
569.88 Kbytes
WNP2W
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
ABCO
ABCO ELECTRONICS CO.LTD
1 Pages
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WNPS2W
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
ABCO
ABCO ELECTRONICS CO.LTD
1 Pages
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WNPS3W
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
ABCO
ABCO ELECTRONICS CO.LTD
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WNT10
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
WEIDMULLER
Weidmuller
2 Pages
1147.20 Kbytes
WNT16N
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
WEIDMULLER
Weidmuller
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WNT2.5
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
WEIDMULLER
Weidmuller
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N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
WEIDMULLER
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WNT4
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
WEIDMULLER
Weidmuller
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WNT6
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
WEIDMULLER
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WNT70N
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
WEIDMULLER
Weidmuller
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WOF
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
MACOM
Tyco Electronics
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WOI1A00APAB
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
HONEYWELL-ACC
Honeywell Accelerometers
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WOI1A00APAG
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WOI1A00APAR
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HONEYWELL-ACC
Honeywell Accelerometers
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WOI1A00APAY
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HONEYWELL-ACC
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WOI1A00APBB
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HONEYWELL-ACC
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WOI1A00APBG
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HONEYWELL-ACC
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7 Pages
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WOI1A00APBR
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HONEYWELL-ACC
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WOI1A00APBY
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WOI1A00APCB
N沟道,20V,3.2A,功率MOSFET出色的导通电阻较高的直流电流
HONEYWELL-ACC
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WNM2016-3参数资料
电子元器件
参数资料
WNM2016-3
制造商:TYSEMI;制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd;功能描述:N-Channel, 20V, 3.2A, Power MOSFET Excellent ON resistance for higher DC current;
WNM2016-3供应商
电子元器件
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WNM2016-3/TR
深圳市柏新电子科技有限公司
林小姐//方先生
0755-88377780
WILL
SOT-23
2012+
27000
WNM2016-3
恩士茂國際貿易有限公司
陈小姐/蔡小姐/王先生
86-755-83955606
WILLSEMI
诚信经营
14+
600000
WNM2016-3
恩士茂國際貿易有限公司
陈小姐/蔡小姐/王先生
86-755-83955606
WILLSEMI
诚信经营
600000
0
WNM2016-3 /TR
深圳市明锐微科技有限公司
李先生
0755-83255012
SOT-23
WILLSEM
14+
6000
WNM2016-3 /TR
北京博泓兴瑞科技有限公司
张莎
13391973032
WILLSEM
SOT-23
15+
6000
WNM2016-3 /TR
深圳市亿翁科技有限公司
林先生/钟先生
0755-83533895
SOT-23
WILLSEM
15+
6000
WNM2016-3/TR
深圳市灿顺兴科技有限公司
王先生 ★只 做 原 装★
18682213510(优秀供应商)
Willsemi
SOT-23
15+
78000
WNM2016-3/TR
深圳市菲发特电子科技有限公司
曹小姐
15013526696
WILL
SOT-23
15+
68942
WNM2016-3/TR
景翔科技(香港)有限公司
廖小姐/何小姐
0755-85225882
WILLsemi
SOT23
2015+
60000
WNM2016-3/TR
深圳市信德意电子有限公司(销售二部)
柯宗豪
23722400
WILL
15+
SOT-23
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