买卖IC网 >> 中文资料第48449页 >> Y0019120M500Q(密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和)

Y0019120M500Q中文资料

  • 电子元器件
  • 中文功能描述
  • 生产厂商
  • 品牌LOGO
  • 页数
  • 文件大小
  • PDF文件
  • Y0019120M500Q
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120M500S
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120M500T
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120M500U
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120M500V
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120M500X
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120R500A
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120R500B
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120R500C
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120R500D
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120R500F
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120R500Q
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120R500S
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120R500T
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120R500U
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120R500V
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0019120R500X
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 126.92 Kbytes
  • Y0020100K250A0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100K250A9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100K250B0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100K250B9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100K250C0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100K250C9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100K250D0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100K250D9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100K250F0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100K250F9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100K250Q0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100K250Q9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100K250T0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100K250T9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250A0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250A9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250B0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250B9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250C0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250C9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250D0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250D9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250F0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250F9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250Q0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250Q9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250T0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100M250T9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100R250A0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100R250A9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100R250B0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100R250B9L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes
  • Y0020100R250C0L
  • 密封式高精度Bulk Metal箔电阻技术为±2ppm的TCR/℃，±0.001％的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 4 Pages
  • 105.08 Kbytes

Y0019120M500Q参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • Y0019120M500Q
  • 制造商：VISHAY；制造商全称：Vishay Siliconix；功能描述：Hermetically Sealed High Precision Bulk Metal? Foil Technology Resistors with TCR of ± 2 ppm/°C, Tolerance of ± 0.001 % and；

Y0019120M500Q供应商

  • 电子元器件
  • 供应商
  • 联系方式
  • 品牌
  • 封装
  • 批号
  • 数量
  • Y0019120M500Q
  • 北京鼎帆伟业科技有限公司
  • 田先生
    010-62967982
  • VISAY
  • VISAY优势经销商
  • 2015
  • 1000