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>> Y1759120R500X(密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和)
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Y1759120R500X
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
VISHAY
Vishay Siliconix
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Y18
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics
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Y18
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
TAYCHIPST
Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
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Y180
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
TAYCHIPST
Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
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Y20
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
TAYCHIPST
Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
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Y200
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
TAYCHIPST
Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
3 Pages
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Y2001U2A203NB
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
ITT
ITT Industries
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ITT
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Y2001U2A203NQ
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
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Y2001U2A203NQE
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
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Y2001U2A2WCNB
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Y2001U2A2WCNBE
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Y2001U2A2WCNQ
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Y2001U2A803NB
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Y2001U2A803NBE
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Y2001U2A803NQ
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Y2001U2AF03NB
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Y2001U2AF03NBE
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Y2001U2AF03NQ
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Y2001U2AF03NQE
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Y2001U2AFWCNB
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Y2001U2AFWCNBE
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密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
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Y2001U2C203NB
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
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密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
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密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
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密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
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Y2001U2C2WCNB
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Y2001U2C2WCNQ
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
ITT
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Y2001U2C2WCNQE
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
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Y2001U2C803NB
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Y2001U2C803NBE
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
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Y2001U2C803NQ
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
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Y2001U2C803NQE
密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
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Y2001U2C8WCNB
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Y2001U2CF03NBE
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密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
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密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
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Y1759120R500X参数资料
电子元器件
参数资料
Y1759120R500X
制造商:VISHAY;制造商全称:Vishay Siliconix;功能描述:Hermetically Sealed Ultra High Precision Z-Foil Technology Resistors with TCR of ± 0.2 ppm/°C, Tolerance of ± 0.001 % and;
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Y2001U2A2WCNBE
Y2001U2A2WCNQ
Y2001U2A2WCNQE
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