买卖IC网 >> 中文资料第48496页 >> Y1759120R500X(密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和)

Y1759120R500X中文资料

  • 电子元器件
  • 中文功能描述
  • 生产厂商
  • 品牌LOGO
  • 页数
  • 文件大小
  • PDF文件
  • Y1759120R500X
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 5 Pages
  • 132.96 Kbytes
  • Y18
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • STMICROELECTRONICS
    STMicroelectronics
  • STMICROELECTRONICS
  • 6 Pages
  • 61.40 Kbytes
  • Y18
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • TAYCHIPST
    Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
  • TAYCHIPST
  • 3 Pages
  • 3830.05 Kbytes
  • Y180
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • TAYCHIPST
    Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
  • TAYCHIPST
  • 3 Pages
  • 3830.05 Kbytes
  • Y20
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • TAYCHIPST
    Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
  • TAYCHIPST
  • 3 Pages
  • 3830.05 Kbytes
  • PDF文件
  • Y200
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • TAYCHIPST
    Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
  • TAYCHIPST
  • 3 Pages
  • 3830.05 Kbytes
  • Y2001U2A203NB
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A203NBE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A203NQ
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A203NQE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A2WCNB
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A2WCNBE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A2WCNQ
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A2WCNQE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A803NB
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A803NBE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A803NQ
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A803NQE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A8WCNB
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A8WCNBE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A8WCNQ
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2A8WCNQE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2AF03NB
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2AF03NBE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2AF03NQ
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2AF03NQE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2AFWCNB
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2AFWCNBE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2AFWCNQ
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2AFWCNQE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C203NB
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C203NBE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C203NQ
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C203NQE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C2WCNB
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C2WCNBE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C2WCNQ
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C2WCNQE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C803NB
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C803NBE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C803NQ
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C803NQE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C8WCNB
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C8WCNBE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C8WCNQ
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2C8WCNQE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2CF03NB
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2CF03NBE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2CF03NQ
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件
  • Y2001U2CF03NQE
  • 密封的超高精度Z箔电阻技术为±0.2 ppm的TCR/℃,±0.001%的公差和
  • ITT
    ITT Industries
  • ITT
  • 8 Pages
  • 582.16 Kbytes
  • PDF文件

Y1759120R500X参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • Y1759120R500X
  • 制造商:VISHAY;制造商全称:Vishay Siliconix;功能描述:Hermetically Sealed Ultra High Precision Z-Foil Technology Resistors with TCR of ± 0.2 ppm/°C, Tolerance of ± 0.001 % and;